Numéro de produit du fabricant:
TSM60NB190CZ C0G
Product Overview
Fabricant:
Taiwan Semiconductor Corporation
DiGi Electronics Numéro de pièce:
TSM60NB190CZ C0G-DG
Description:
MOSFET N-CHANNEL 600V 18A TO220
Description détaillée:
N-Channel 600 V 18A (Tc) 33.8W (Tc) Through Hole TO-220
Inventaire:
3868 Pièces Nouvelles Originales En Stock
12896105
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SOUMETTRE
TSM60NB190CZ C0G Spécifications techniques
Catégorie
FETs, MOSFETs, Transistors à effet de champ simples, MOSFETs
Fabricant
Taiwan Semiconductor
Emballage
Tube
Série
-
État du produit
Obsolete
FET Type
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Tension de vidange à la source (Vdss)
600 V
Courant - drain continu (id) @ 25°C
18A (Tc)
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On)
10V
rds activé (max) @ id, vgs
190mOhm @ 6A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 250µA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs
31 nC @ 10 V
Vgs (max.)
±30V
Capacité d’entrée (ciss) (max) @ vds
1273 pF @ 100 V
Fonctionnalité FET
-
Dissipation de puissance (max.)
33.8W (Tc)
Température de fonctionnement
-55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage
Through Hole
Ensemble d’appareils du fournisseur
TO-220
Emballage / Caisse
TO-220-3
Numéro de produit de base
TSM60
Fiche technique & Documents
Fiches techniques
Informations supplémentaires
Forfait standard
50
Autres noms
TSM60NB190CZ C0G-DG
TSM60NB190CZC0G
Classification environnementale et d'exportation
Statut RoHS
ROHS3 Compliant
Niveau de sensibilité à l’humidité (MSL)
1 (Unlimited)
Statut REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Modèles alternatifs
NUMÉRO DE PIÈCE
TK16E60W,S1VX
FABRICANT
Toshiba Semiconductor and Storage
QUANTITÉ DISPONIBLE
39
NUMÉRO DE PIÈCE
TK16E60W,S1VX-DG
PRIX UNITAIRE
1.10
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QUANTITÉ DISPONIBLE
12
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PRIX UNITAIRE
1.35
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1.75
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